如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl₄）浓度，硅的气相外延速率就会增加。

拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的（）造成。

填空题拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的（）造成。

磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率（）A.轴向均匀B.轴向递减C....

单项选择题磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率（）

在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭。

判断题在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭。