填空题
替位;间隙
热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物,经过热分解反应,在基片表面淀积二氧化硅。
填空题热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物,经过热分解反应,在基片表面淀积二氧化硅。
最常用的金属膜制备方法有()加热蒸发、()蒸发、()。
填空题最常用的金属膜制备方法有()加热蒸发、()蒸发、()。
半导体集成电路生产中,元件之间隔离有()()()隔离等三种基本方法.
填空题半导体集成电路生产中,元件之间隔离有()()()隔离等三种基本方法.