多项选择题
A.使整个样品加底光照 B.将硅单晶加热到50～70℃ C.加底光照后用氙灯闪光进行照射 D.将硅单晶加热到60～80℃
下列有关漩涡缺陷的说法正确的是（）A.是晶体中点缺陷的局部聚集B.漩涡条纹是不连续的C.由大量的浅蚀坑组成D....
多项选择题下列有关漩涡缺陷的说法正确的是（）
A.是晶体中点缺陷的局部聚集B.漩涡条纹是不连续的C.由大量的浅蚀坑组成D.在晶体中实际上是呈螺旋阶梯分布的
稳态法测量非平衡少数载流子寿命，主要采用的方法有（）A.扩散长度法B.光电导衰退法C.光脉冲法D.光磁法
单项选择题稳态法测量非平衡少数载流子寿命，主要采用的方法有（）
A.扩散长度法 B.光电导衰退法 C.光脉冲法 D.光磁法
四探针法测量电阻率的测准条件主要有（）A.电流通过样品不应引起样品的电导率发生变化B.一般采用1～2mm左右的...
多项选择题四探针法测量电阻率的测准条件主要有（）
A.电流通过样品不应引起样品的电导率发生变化 B.一般采用1～2mm左右的针距较适宜 C.四根探针应处于同一平面的同一条直线上 D.样品的厚度必须大于3倍针距
