填空题
选择比高；工艺简单；各向同性；线条宽度难以控制
湿法腐蚀Si所用溶液有（）、（）等，腐蚀SiO2常用的腐蚀剂是（），腐蚀Si3N4常用的腐蚀剂是（）。
填空题湿法腐蚀Si所用溶液有（）、（）等，腐蚀SiO2常用的腐蚀剂是（），腐蚀Si3N4常用的腐蚀剂是（）。
控制湿法腐蚀的主要参数有（）、（）、（）、（）等。
填空题控制湿法腐蚀的主要参数有（）、（）、（）、（）等。
光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。
填空题光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。
