填空题
沿晶体沟道注入离子的射程远大于随机方向注入离子射程的现象；硅片相对注入束偏转5-7°的注入角；表面生长氧化层；硅注入表面......
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注入离子的射程主要由（）决定。确定注入离子分布的主要参数是（）及其（）。注入离子分布的一级近似为（）。可写成：
CMOS集成电路的栅氧化层要求：（）。通常用（）氧化降低其界面态密度，用（）氧化降低其针孔密度和提高介电击穿强...
填空题CMOS集成电路的栅氧化层要求：（）。通常用（）氧化降低其界面态密度，用（）氧化降低其针孔密度和提高介电击穿强度。
用C-V测试可以测定二氧化硅薄膜的：（）
填空题用C-V测试可以测定二氧化硅薄膜的：（）
