CMOS集成电路的栅氧化层要求：（）。通常用（）氧化降低其界面态密度，用（）氧化降低其针孔密度和提高介电击穿强度。

用C-V测试可以测定二氧化硅薄膜的：（）

填空题用C-V测试可以测定二氧化硅薄膜的：（）

氧化层厚度的测量方法主要有：（）。

填空题氧化层厚度的测量方法主要有：（）。

氧化时（）称为分凝效应。B在氧化硅中的含量高于Si衬底中的含量，分凝系数（）1；P、As在氧化硅中的含量低于S...

填空题氧化时（）称为分凝效应。B在氧化硅中的含量高于Si衬底中的含量，分凝系数（）1；P、As在氧化硅中的含量低于Si衬底中含量，分凝系数（）1。