多项选择题
A.反应运动B.扩散运动C.脱吸运动D.漂移运动
以下关于CVD的描述正确的有（）。A.hg≥ks，淀积速率为扩散控制B.hg≤ks，淀积速率为反应控制C.h...
多项选择题以下关于CVD的描述正确的有（）。
A.hg≥ks，淀积速率为扩散控制B.hg≤ks，淀积速率为反应控制C.hg≥ks，淀积速率为反应控制D.hg≤ks，淀积速率为扩散控制
CVD淀积SiO2薄膜过程中主要涉及的运动有哪些？（）A.漂移运动B.反应运动C.扩散运动D.加接运动
多项选择题CVD淀积SiO2薄膜过程中主要涉及的运动有哪些？（）
A.漂移运动B.反应运动C.扩散运动D.加接运动
CVD基本过程包括（）。A.在表面进行化学反应，在表面淀积成薄膜B.副产物脱离吸附C.脱吸副产物逸出反应室D....
多项选择题CVD基本过程包括（）。
A.在表面进行化学反应，在表面淀积成薄膜B.副产物脱离吸附C.脱吸副产物逸出反应室D.反应剂传输至衬底表面，反应剂吸附在表面
