单项选择题
A.调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度增大 B.调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦 C.调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减 D.增大坩埚内径与晶体直径的比值
硅片制备主要工艺流程是（）A.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B.单晶生长→切...
单项选择题硅片制备主要工艺流程是（）
A.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包 B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包 C.单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包 D.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
半导体硅工业产品不包括（）①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅A.①②④B.①②③④C.②③④D.③④
单项选择题半导体硅工业产品不包括（）①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅
A.①②④ B.①②③④ C.②③④ D.③④
在工业生产中广泛用的是（）A.化学清洗B.rCA清洗C.超声波清洗
单项选择题在工业生产中广泛用的是（）
A.化学清洗 B.rCA清洗 C.超声波清洗
