单项选择题
A.Wm< WsB.向沟道区掺入BC.衬源间施加负偏压D.增加SiO2层的厚度
理想MIS（p型半导体衬底）结构中，高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下（）。A.半...
单项选择题理想MIS（p型半导体衬底）结构中，高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下（）。
A.半导体表面附近的空穴数量变化跟不上信号变化B.半导体表面附近的电子数量变化跟不上信号变化C.半导体发生了深耗尽D.半导体表面附近的电子不能产生
降低基区掺杂浓度，（）。A.不利于抑制发射极电流集边效应，有利于抑制Early效应B.有利于抑制发射极电流集边...
单项选择题降低基区掺杂浓度，（）。
A.不利于抑制发射极电流集边效应，有利于抑制Early效应B.有利于抑制发射极电流集边效应和Early效应C.不利于抑制发射极电流集边效应和Early效应D.有利于抑制发射极电流集边效应，不利于抑制Early效应
不能单纯依靠提高发射区掺杂浓度来提高发射效率的物理原因是（）。A.发射区过高掺杂会使发射区禁带宽度减小B.发射...
单项选择题不能单纯依靠提高发射区掺杂浓度来提高发射效率的物理原因是（）。
A.发射区过高掺杂会使发射区禁带宽度减小B.发射区过高掺杂易诱发基区穿通C.发射区过高掺杂会使发射区迁移率降低D.发射区过高掺杂易发生基区大注入效应
