问答题
优点:可以中和界面处的电荷堆积;能使氧化速率提高10%到15%。
列出Si/Si02界面处的4种氧化物电荷。
问答题列出Si/Si02 界面处的4种氧化物电荷。
如果热生长氧化层厚度为2000A,那么Si消耗多少?
问答题如果热生长氧化层厚度为2000A,那么Si消耗多少?
列出热氧化物的硅片制造的六种用途,并给出各种用途的目的。
问答题列出热氧化物的硅片制造的六种用途,并给出各种用途的目的。