单项选择题
A.杂质原子 B.位错 C.空位 D.二次缺陷
区熔法制备单晶硅时，需要（）A.需要一个石英坩埚用于溶化B.需要一个石英坩埚和一个石墨坩埚C.不需要坩埚D.需...
单项选择题区熔法制备单晶硅时，需要（）
A.需要一个石英坩埚用于溶化 B.需要一个石英坩埚和一个石墨坩埚 C.不需要坩埚 D.需要一个石墨坩埚
晶体生长过程中产生的缺陷称为（）A.原生长缺陷B.二次缺陷C.点缺陷D.诱生缺陷
单项选择题晶体生长过程中产生的缺陷称为（）
A.原生长缺陷 B.二次缺陷 C.点缺陷 D.诱生缺陷
金刚石结构的晶体中位错滑移最容易产生的滑移面是（）A.{111}面B.{110}面C.{100}面D.{101...
单项选择题金刚石结构的晶体中位错滑移最容易产生的滑移面是（）
A.{111}面 B.{110}面 C.{100}面 D.{101}面
