多项选择题
A.工艺最先进B.材料性能优良C.工艺成本低D.晶圆尺寸最大
对第一只晶体管描述正确的是（）。A.是1947年Bell实验室发明的B.是Ge（锗）晶体管C.是Si（硅）晶体...
多项选择题对第一只晶体管描述正确的是（）。
A.是1947年Bell实验室发明的B.是Ge（锗）晶体管C.是Si（硅）晶体管D.是1971年Intel发明的
对摩尔定律描述不正确的是（）。A.集成度每18月翻一番B.最小特征尺寸每3年减小50%C.最小特征尺寸每3年减...
单项选择题对摩尔定律描述不正确的是（）。
A.集成度每18月翻一番B.最小特征尺寸每3年减小50%C.最小特征尺寸每3年减小70%D.集成度每三年翻一番
因为离子注入所引起的简单或复杂的缺陷统称为（）。A.晶格损伤B.晶格缺陷C.晶胞损伤D.晶胞缺陷
单项选择题因为离子注入所引起的简单或复杂的缺陷统称为（）。
A.晶格损伤B.晶格缺陷C.晶胞损伤D.晶胞缺陷
