当晶体管的W值较小时，受窄沟道效应的影响，晶体管的阈值电压（）（填“升高”或“降低”）。

随着MOS器件尺寸的缩小，源端和反向偏置的漏端结的耗尽区对器件的影响变得重要。由于在栅下的一部分区域已被耗尽，...

填空题随着MOS器件尺寸的缩小，源端和反向偏置的漏端结的耗尽区对器件的影响变得重要。由于在栅下的一部分区域已被耗尽，导致器件的阈值电压（）。（填“升高”或“降低”）

假设在PN结上加上一个电压，使p区的电势相对于n区升高，其表现出来的结果是电流从p区向n区流过二极管，此时二极...

填空题假设在PN结上加上一个电压，使p区的电势相对于n区升高，其表现出来的结果是电流从p区向n区流过二极管，此时二极管处于（）（填“正”或“反”）偏置状态。

栅源电压一旦下降至阈值电压以下时电流应当下降得尽可能（），即斜率系数S的值越（）。A.慢；大B.快；大C.快；...

单项选择题栅源电压一旦下降至阈值电压以下时电流应当下降得尽可能（），即斜率系数S的值越（）。