位错是半导体中最主要的缺陷。

可以将小角度晶界看成是层错的排列。

判断题可以将小角度晶界看成是层错的排列。

硅单晶在不同腐蚀液中，P型硅的电极电位比N型硅的高。

判断题硅单晶在不同腐蚀液中，P型硅的电极电位比N型硅的高。

高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的测量下限一般为10～20μs。

判断题高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的测量下限一般为10～20μs。