与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等离子体损伤，并且设备简单。

在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。

判断题在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。

在半导体生产中，湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。

判断题在半导体生产中，湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。

刻蚀的高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。

判断题刻蚀的高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。