通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。

PSG高温回流需要的温度要比BPSG高。

判断题PSG高温回流需要的温度要比BPSG高。

LPCVD多晶硅和氮化硅等薄膜易形成保形覆盖，在低温APCVD中，非保形覆盖一般比较常见。

判断题LPCVD多晶硅和氮化硅等薄膜易形成保形覆盖，在低温APCVD中，非保形覆盖一般比较常见。

相同掺杂浓度下，多晶硅的电阻率比单晶硅的电阻率高得多。

判断题相同掺杂浓度下，多晶硅的电阻率比单晶硅的电阻率高得多。