材料烧结时，晶粒生长是晶界移动的结果，为保证晶粒正常生长，应控制晶界移动速率V_b与气孔移动速率V_p，当（）时，晶粒正常长大。

提高物料烧结活性的途径有（）。A.提高物料粒度B.降低物料粒度C.采用不同形式的母盐及热分解条件来制备活性氧化...

多项选择题提高物料烧结活性的途径有（）。

物料粒度越大，烧结速率（）；提高烧结温度、延长烧结时间、提高成型压力一般会（）烧结。A.越快；促进B.越快；阻...

单项选择题物料粒度越大，烧结速率（）；提高烧结温度、延长烧结时间、提高成型压力一般会（）烧结。

二次再结晶的过程中存在晶核，界面处有应力存在，气孔维持在晶界上或晶界交汇处。

判断题二次再结晶的过程中存在晶核，界面处有应力存在，气孔维持在晶界上或晶界交汇处。