单项选择题
A.有毒B.直接带隙半导体C.有闪锌矿和纤锌矿两种结构D.禁带宽度随着原子序数的增加而增加
以下对于GaN描述错误的是（）。A.可以制备成高频和大功率器件B.是宽禁带半导体，可以生长在SiC上C.高载...
单项选择题以下对于GaN描述错误的是（）。
A.可以制备成高频和大功率器件B.是宽禁带半导体，可以生长在SiC上C.高载流子迁移率D.霍尔迁移率随着温度的增加而增加
以下对于液态密封法生长GaAs描述错误的是（）。A.化学计量可以得到很好的控制B.可以生长大直径的晶体C.液...
单项选择题以下对于液态密封法生长GaAs描述错误的是（）。
A.化学计量可以得到很好的控制B.可以生长大直径的晶体C.液态密封法不能掺Si，因为会导致B的沾污D.一般采用B2O3液封
以下对于GaAs描述错误的是（）。A.在室温下，在氧和水蒸气气氛中性质稳定B.可与浓硝酸反应，但不溶于王水C....
单项选择题以下对于GaAs描述错误的是（）。
A.在室温下，在氧和水蒸气气氛中性质稳定B.可与浓硝酸反应，但不溶于王水C.难以稳态本征氧化D.难以生长出无位错单晶
