单项选择题
A.在室温下，在氧和水蒸气气氛中性质稳定B.可与浓硝酸反应，但不溶于王水C.难以稳态本征氧化D.难以生长出无位错单晶
以下对于GaAs材料描述错误的是（）。A.电子迁移率高，适合做高频器件B.带隙大可以做高温器件C.晶体结构为纤...
单项选择题以下对于GaAs材料描述错误的是（）。
A.电子迁移率高，适合做高频器件B.带隙大可以做高温器件C.晶体结构为纤锌矿结构D.是直接带隙，光电转换效率高
以下对于非晶硅薄膜描述错误的是（）。A.非晶硅与单晶硅的raman谱的峰位不同B.非晶硅的光吸收系数高于单晶硅...
单项选择题以下对于非晶硅薄膜描述错误的是（）。
A.非晶硅与单晶硅的raman谱的峰位不同B.非晶硅的光吸收系数高于单晶硅，有利于光电转换C.非晶硅的能带结构与晶体硅相同，禁带宽度均为1.12eVD.由于非晶硅薄膜中存在比较高的缺陷和局域态密度，通常不能进行掺杂
以下不是外延硅的主要缺陷（）。A.位错B.夹层C.氧沉淀D.层错
单项选择题以下不是外延硅的主要缺陷（）。
A.位错B.夹层C.氧沉淀D.层错
