以下不是II-VI族半导体的制备方法的是（）。

‏对于II-VI族半导体描述错误的是（）。A.有毒B.直接带隙半导体C.有闪锌矿和纤锌矿两种结构D.禁带宽度随...

单项选择题‏对于II-VI族半导体描述错误的是（）。

​以下对于GaN描述错误的是（）。A.可以制备成高频和大功率器件B.是宽禁带半导体，可以生长在SiC上C.高载...

单项选择题​以下对于GaN描述错误的是（）。

‍以下对于液态密封法生长GaAs描述错误的是（）。A.化学计量可以得到很好的控制B.可以生长大直径的晶体C.液...

单项选择题‍以下对于液态密封法生长GaAs描述错误的是（）。