判断题
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液态TEOS源是采用载流气体鼓泡方式携带，例如N2、O2、He，而P1102.TEOS工艺是采用（）进入反应炉...
单项选择题液态TEOS源是采用载流气体鼓泡方式携带，例如N2、O2、He，而P1102.TEOS工艺是采用（）进入反应炉。
A.N2B.O2C.HeD.水浴饱和蒸汽
下列哪种工艺会使用到RF？（）A.电镀B.SOGC.APCVDD.PECVD
单项选择题下列哪种工艺会使用到RF？（）
A.电镀B.SOGC.APCVDD.PECVD
在硅片加工中可以接受的膜，以下不具备需要的膜特征（）A.好的台阶覆盖能力B.填充高的深宽比间隙的能力C.好的厚...
单项选择题在硅片加工中可以接受的膜，以下不具备需要的膜特征（）
A.好的台阶覆盖能力B.填充高的深宽比间隙的能力C.好的厚度均匀性D.高的膜应力
