单项选择题
A.电镀B.SOGC.APCVDD.PECVD
在硅片加工中可以接受的膜，以下不具备需要的膜特征（）A.好的台阶覆盖能力B.填充高的深宽比间隙的能力C.好的厚...
单项选择题在硅片加工中可以接受的膜，以下不具备需要的膜特征（）
A.好的台阶覆盖能力B.填充高的深宽比间隙的能力C.好的厚度均匀性D.高的膜应力
蒸发台以下哪项参数对膜厚影响最大（）A.行星架转速B.加热温度C.熔源时间D.tooling值
单项选择题蒸发台以下哪项参数对膜厚影响最大（）
A.行星架转速B.加热温度C.熔源时间D.tooling值
P5000设备气态源制备SIN工艺中参与反应的气体是（）A.SiH4、O2B.SiH4、NH3C.SiH4、N...
单项选择题P5000设备气态源制备SIN工艺中参与反应的气体是（）
A.SiH4、O2B.SiH4、NH3C.SiH4、N2OD.SiH4、N2
