由于生长速度和熔体搅拌综合作用，导致平衡分凝系数和实际分凝系数不相等，为了反映分凝实际情况用（）代替K0。

理论分析和实践证明，同一熔体分凝系数大小和（）、（）有关。

填空题理论分析和实践证明，同一熔体分凝系数大小和（）、（）有关。

当杂质的K0大于1时，杂质的引入使硅熔点（），固相中杂质浓度（），杂质在硅单晶头部聚集。

填空题当杂质的K0大于1时，杂质的引入使硅熔点（），固相中杂质浓度（），杂质在硅单晶头部聚集。

当杂质的K0小于1时，杂质的引入使硅熔点（），固相中杂质浓度（），杂质在硅单晶尾部聚集。

填空题当杂质的K0小于1时，杂质的引入使硅熔点（），固相中杂质浓度（），杂质在硅单晶尾部聚集。