采用耗尽近似，P型耗尽区内的（）完全扩散掉。

p型空间电荷区由（）构成。A.电子B.空穴C.带正电的电离施主杂质D.带负电的电离受主杂质

单项选择题p型空间电荷区由（）构成。

空间任意点的电场强度的散度正比于该点的（）。A.电荷密度B.电流密度C.正电荷密度D.负电荷密度

单项选择题空间任意点的电场强度的散度正比于该点的（）。

‎某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，漏极电流ID为4A。该器件的增益因...

单项选择题‎某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为（）。