半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。

绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。

判断题绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。

理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上，栅极分压占比小于50%。

判断题理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上，栅极分压占比小于50%。

p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。

判断题p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。