p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。

栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。

判断题栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。

n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。

判断题n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。

MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。

判断题MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。