单项选择题
A.行星架转速B.加热温度C.熔源时间D.tooling值
P5000设备气态源制备SIN工艺中参与反应的气体是（）A.SiH4、O2B.SiH4、NH3C.SiH4、N...
单项选择题P5000设备气态源制备SIN工艺中参与反应的气体是（）
A.SiH4、O2B.SiH4、NH3C.SiH4、N2OD.SiH4、N2
溅射台使用的AlSi靶材中，Si的含量是（）A.0.5%B.1%C.0.05%D.0.1%
单项选择题溅射台使用的AlSi靶材中，Si的含量是（）
A.0.5%B.1%C.0.05%D.0.1%
P5000机台属于哪种类型的CVD工艺（）A.APCVDB.LPCVDC.PCVDD.PECVD
单项选择题P5000机台属于哪种类型的CVD工艺（）
A.APCVDB.LPCVDC.PCVDD.PECVD
