多项选择题
A.英伟达B.仙童半导体C.英特尔D.德州仪器
麒麟980芯片采用的工艺水平是（）。A.10nmB.5nmC.7nmD.9nm
单项选择题麒麟980芯片采用的工艺水平是（）。
A.10nmB.5nmC.7nmD.9nm
形成B的超浅结掺杂（剂量为QB）时，为了避免沟道效应可否先注入锑（剂量为QSb）再注入硼？实际注入了多少硼？...
单项选择题形成B的超浅结掺杂（剂量为QB）时，为了避免沟道效应可否先注入锑（剂量为QSb）再注入硼？实际注入了多少硼？（）
A.可以，实际注硼：QBB.不可以C.可以，实际注硼：QB+QSbD.可以，实际注硼：QB-QSb
在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是（）。当偏离晶向（）ψc注入时，可以避免。A...
单项选择题在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是（）。当偏离晶向（）ψc注入时，可以避免。
A.横向效应，>B.横向效应，<C.沟道效应，<D.沟道效应，>
