单项选择题
A.10nmB.5nmC.7nmD.9nm
形成B的超浅结掺杂（剂量为QB）时，为了避免沟道效应可否先注入锑（剂量为QSb）再注入硼？实际注入了多少硼？...
单项选择题形成B的超浅结掺杂（剂量为QB）时，为了避免沟道效应可否先注入锑（剂量为QSb）再注入硼？实际注入了多少硼？（）
A.可以，实际注硼：QBB.不可以C.可以，实际注硼：QB+QSbD.可以，实际注硼：QB-QSb
在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是（）。当偏离晶向（）ψc注入时，可以避免。A...
单项选择题在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是（）。当偏离晶向（）ψc注入时，可以避免。
A.横向效应，>B.横向效应，<C.沟道效应，<D.沟道效应，>
关于氧化速率下面哪种描述是正确的？（）A.有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低B.生长十几nm厚的栅氧化...
多项选择题关于氧化速率下面哪种描述是正确的？（）
A.有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低B.生长十几nm厚的栅氧化层时，服从线性氧化速率C.温度升高氧化速率迅速增加D.（111）硅比（100）硅氧化得快
