计算题 确定在1200℃时，由SiCl₄源生长的外延层的生长速率。反应室的气相质量转移系数是h_G=5cm/s，表面反应速率常数为K_S=10⁷exp（-1.9eV/kT）cm/s，C_G=5*10¹⁶cm^-3。如果反应温度降低2℃，生长速率将变化多少？

为什么使用外延生长难以得到突变结？

问答题为什么使用外延生长难以得到突变结？

由外延生长的Grove模型得到外延生长速率与反应物浓度成正比，对于以SiCl4为原料的硅外延为什么随SiCl4...

问答题由外延生长的Grove模型得到外延生长速率与反应物浓度成正比，对于以SiCl₄为原料的硅外延为什么随SiCl₄浓度的增加会出现负的生长速率？

用Grove模型解释分别在高温区、低温区外延生长时温度与生长速度的关系。

问答题用Grove模型解释分别在高温区、低温区外延生长时温度与生长速度的关系。