简答题 由外延生长的Grove模型得到外延生长速率与反应物浓度成正比，对于以SiCl₄为原料的硅外延为什么随SiCl₄浓度的增加会出现负的生长速率？

用Grove模型解释分别在高温区、低温区外延生长时温度与生长速度的关系。

问答题用Grove模型解释分别在高温区、低温区外延生长时温度与生长速度的关系。

详述影响硅外延生长速率的因素。

问答题详述影响硅外延生长速率的因素。

要拉制30g，ρ=1~3Ω·cm的P型Ge单晶，所用的杂质为Ga-Ge合金，合金中P型Ge浓度为Cm=1017...

问答题

要拉制30g，ρ=1~3Ω·cm的P型Ge单晶，所用的杂质为Ga-Ge合金，合金中P型Ge浓度为C_m=1017cm^-3，原料为纯Ge，问需要多少克Ga-Ge合金？