判断题
正确
NMOS源漏城需进行N+型掺杂。
判断题NMOS源漏城需进行N+型掺杂。
NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。
判断题NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。
PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。
判断题PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。