单项选择题
电离杂质散射概率与温度关系正确的是（）
A.AB.BC.CD.D
掺杂浓度相同时，下列半导体器件极限工作温度大小关系正确的是（）A.硅>锗>砷化镓B.硅>砷化镓>锗C.砷化镓>...
单项选择题掺杂浓度相同时，下列半导体器件极限工作温度大小关系正确的是（）
A.硅>锗>砷化镓B.硅>砷化镓>锗C.砷化镓>锗>硅D.砷化镓>硅>锗
半导体晶体导带底附近的量子态密度与能量之间符合什么关系（）A.抛物线B.双曲线C.e指数D.线性
单项选择题半导体晶体导带底附近的量子态密度与能量之间符合什么关系（）
A.抛物线B.双曲线C.e指数D.线性
关于施主掺杂，下列说法不正确的是（）A.施主杂质电离后，可以为半导体提供导电电子B.施主杂质电离后，电离中心带...
单项选择题关于施主掺杂，下列说法不正确的是（）
A.施主杂质电离后，可以为半导体提供导电电子B.施主杂质电离后，电离中心带正电C.施主杂质是一种间隙式杂质D.单一施主掺杂后的半导体为n型半导体
