多项选择题
A.高压氧化 B.湿氧氧化 C.掺氯氧化 D.氢氧合成氧化 E.等离子增强氧化
当热氧化的最初阶段，（）为限制反应速率的主要原因。A.温度B.硅-二氧化硅界面处的化学反应C.氧的扩散速率D....
单项选择题当热氧化的最初阶段，（）为限制反应速率的主要原因。
A.温度 B.硅-二氧化硅界面处的化学反应 C.氧的扩散速率 D.压力
当二氧化硅膜很薄时，膜厚与时间（）。A.t2成正比B.t2成反比C.t成正比D.t成反比
单项选择题当二氧化硅膜很薄时，膜厚与时间（）。
A.t2成正比 B.t2成反比 C.t成正比 D.t成反比
干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。A.生长的二氧化硅薄膜均匀性好B.生长的二氧化硅干燥C.生长的二氧化硅结构...
多项选择题干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。
A.生长的二氧化硅薄膜均匀性好 B.生长的二氧化硅干燥 C.生长的二氧化硅结构致密 D.生长的二氧化硅是很理想的钝化膜 E.生长的二氧化硅掩蔽能力强
