多项选择题
A.生长的二氧化硅薄膜均匀性好 B.生长的二氧化硅干燥 C.生长的二氧化硅结构致密 D.生长的二氧化硅是很理想的钝化膜 E.生长的二氧化硅掩蔽能力强
干氧氧化法有一些优点，但同时它的缺点有（）。A.生长出的二氧化硅中引入很多可动离子B.氧化的速度慢C.生长的二...
单项选择题干氧氧化法有一些优点，但同时它的缺点有（）。
A.生长出的二氧化硅中引入很多可动离子 B.氧化的速度慢 C.生长的二氧化硅缺陷多 D.生长的二氧化硅薄膜钝化效果差
干氧氧化中，氧化炉内的气体压力应（）一个大气压。A.稍高于B.大大于C.等于D.没有要求
单项选择题干氧氧化中，氧化炉内的气体压力应（）一个大气压。
A.稍高于 B.大大于 C.等于 D.没有要求
下列几种氧化方法相比，哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。A.干氧氧化B.湿氧氧化C.水汽氧化D.与...
单项选择题下列几种氧化方法相比，哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。
A.干氧氧化 B.湿氧氧化 C.水汽氧化 D.与氧化方法无关
