当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时，漏极将失去对漏源电流的控制能力。

P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

判断题P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

理想的MOS管，栅极加上偏压之后，沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。

判断题理想的MOS管，栅极加上偏压之后，沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。

处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管，栅极将失去对漏源电流的控制作用。

判断题处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管，栅极将失去对漏源电流的控制作用。