处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管，栅极将失去对漏源电流的控制作用。

实际的MOS管，绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体，其中没有任何杂质和缺陷。

判断题实际的MOS管，绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体，其中没有任何杂质和缺陷。

P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。

判断题P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。

N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。

判断题N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。