杂质半导体进入全电离的温度存在（）规律，进入本征激发区的温度存在（）规律。

对于强N型半导体的直接复合，小注入时的非平衡载流子的寿命与（）成反比，大注入时则与（）成反比。ΔA.n0；Δp...

单项选择题对于强N型半导体的直接复合，小注入时的非平衡载流子的寿命与（）成反比，大注入时则与（）成反比。Δ

有4个硅样品，其掺杂情况分别是：甲：含砷1×1015cm-3；乙：含硼和磷各1×1017cm-3；丙：含硼1×...

单项选择题

有4个硅样品，其掺杂情况分别是：
甲：含砷1×10¹⁵cm^-3；
乙：含硼和磷各1×10¹⁷cm^-3；
丙：含硼1×10¹⁷cm^-3；
丁：含砷1×10¹⁷cm^-3。
室温下假设杂质完全电离，则这些样品的空穴浓度由高到低的顺序是（）。

‎最有效的陷阱对应的陷阱能级位于（）。A.EFB.EiC.EcD.Ev

单项选择题‎最有效的陷阱对应的陷阱能级位于（）。