单项选择题
A.刻蚀 B.离子注入 C.光刻 D.金属化
NMOS源漏的掺杂类型分别为（）A.P+、P+B.P+，N+C.N+，N+D.N+，P+
单项选择题NMOS源漏的掺杂类型分别为（）
A.P+、P+ B.P+，N+ C.N+，N+ D.N+，P+
NMOS是在（）阱形成的（）沟道的MOSFET晶体管。A.P阱，P沟B.P阱、N沟C.N阱、N沟D.N阱、P沟
单项选择题NMOS是在（）阱形成的（）沟道的MOSFET晶体管。
A.P阱，P沟 B.P阱、N沟 C.N阱、N沟 D.N阱、P沟
在集成电路加工制造中，通常所指前道工艺为（）A.集成电路制造（晶圆加工）B.集成电路封装C.集成电路测试D.集...
单项选择题在集成电路加工制造中，通常所指前道工艺为（）
A.集成电路制造（晶圆加工） B.集成电路封装 C.集成电路测试 D.集成电路设计
