未进行掺杂的二氧化硅薄膜，通常简写为（）。

我们利用LOCOS技术制作MOS中的（）。A.场氧区B.源、漏C.栅D.有源区

单项选择题我们利用LOCOS技术制作MOS中的（）。

显影后，被曝光区域的光刻胶被去除，该种光刻胶称为（）。A.负胶B.正胶C.光刻抗蚀剂D.光阻

单项选择题显影后，被曝光区域的光刻胶被去除，该种光刻胶称为（）。

MOS晶体管的源区、漏区及源、漏之间的沟道区域通常称为（）。A.有源区B.场区C.衬底区D.阱区

单项选择题MOS晶体管的源区、漏区及源、漏之间的沟道区域通常称为（）。