单项选择题
A.负胶B.正胶C.光刻抗蚀剂D.光阻
MOS晶体管的源区、漏区及源、漏之间的沟道区域通常称为()。A.有源区B.场区C.衬底区D.阱区
单项选择题MOS晶体管的源区、漏区及源、漏之间的沟道区域通常称为()。
A.有源区B.场区C.衬底区D.阱区
氧化层中掺杂了硼杂质,一般称为()。A.PSGB.BPSGC.BSGD.FSG
单项选择题氧化层中掺杂了硼杂质,一般称为()。
A.PSGB.BPSGC.BSGD.FSG
如果制作栅氧结构,一般采用的方法是()。A.湿氧氧化B.氢氧合成C.CVDD.干氧氧化
单项选择题如果制作栅氧结构,一般采用的方法是()。
A.湿氧氧化B.氢氧合成C.CVDD.干氧氧化