在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。

阈电压V的短沟道效应是指，当沟道长度缩短时，V变（）。

填空题阈电压V的短沟道效应是指，当沟道长度缩短时，V变（）。

为提高跨导g的截止角频率ω，应当（）μ，（）L，（）V。

填空题为提高跨导g的截止角频率ω，应当（）μ，（）L，（）V。

MOSFET的跨导的定义是（），反映了（）对（）的控制能力。

填空题MOSFET的跨导的定义是（），反映了（）对（）的控制能力。