为提高跨导g的截止角频率ω，应当（）μ，（）L，（）V。

MOSFET的跨导的定义是（），反映了（）对（）的控制能力。

填空题MOSFET的跨导的定义是（），反映了（）对（）的控制能力。

由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSF...

填空题由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。

由于栅氧化层中通常带（）电荷，所以（）型区比（）型区更容易发生反型。

填空题由于栅氧化层中通常带（）电荷，所以（）型区比（）型区更容易发生反型。