单项选择题
A.轴向均匀B.轴向递减C.轴向递増D.径向递减
在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭。
判断题在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭。
关于拉单晶时进行的缩颈步骤,下面的说法那种正确()A.可以多次缩颈B.为了能拉出与籽晶相同的硅锭C.为了终止籽...
多项选择题关于拉单晶时进行的缩颈步骤,下面的说法那种正确()
A.可以多次缩颈B.为了能拉出与籽晶相同的硅锭C.为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸D.为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸
一块电阻率为3Ω·cm的N-Si样品,空穴的寿命为τp=5μs,在其平面型的表面处有稳定的空穴注入,过甚空穴浓...
问答题一块电阻率为3Ω·cm的N-Si样品,空穴的寿命为τp=5μs,在其平面型的表面处有稳定的空穴注入,过甚空穴浓度为Δp(0)=1014cm-3,计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度。在离表面多远处过剩空穴浓度衰减到1012cm-3。