单项选择题
A.Ⅲ-Ⅴ族化合物 B.Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 C.化合物半导体太阳电池
同质结是指（）A.碲化镉薄膜太阳电池B.非晶硅太阳电池C.多晶硅太阳电池
单项选择题同质结是指（）
A.碲化镉薄膜太阳电池 B.非晶硅太阳电池 C.多晶硅太阳电池
直熔法生长的铸造多晶硅的主要特点是（）A.利用高频感应线圈和辅助线圈加热多晶硅棒B.每一炉需要消耗一支坩埚C....
单项选择题直熔法生长的铸造多晶硅的主要特点是（）
A.利用高频感应线圈和辅助线圈加热多晶硅棒 B.每一炉需要消耗一支坩埚 C.有种晶、引细颈、放肩过程
直拉单晶硅的制备工艺的主要特点是（）A.利用高频感应线圈和辅助线圈加热多晶硅棒B.每一炉需要消耗一支坩埚C.有...
单项选择题直拉单晶硅的制备工艺的主要特点是（）
