单项选择题
A.过饱和会形成氧沉淀，影响硅晶体的电学性质B.主要来源于坩埚的污染C.是直拉硅中浓度最高的杂质D.对于硅晶体而言完全是有害杂质，需要去除
以下对于直拉生长描述错误的是（）。A.重装料CZ法可以连续拉晶3-4根，但是有坩埚破裂的风险B.连续直拉法制...
单项选择题以下对于直拉生长描述错误的是（）。
A.重装料CZ法可以连续拉晶3-4根，但是有坩埚破裂的风险B.连续直拉法制备出的硅晶体电阻率相对比较均匀，但是掺镓除外C.连续直拉法拉出的硅晶体含氧和碳杂质均浓度低，晶体质量高D.连续直拉法可以在晶体生长过程中使熔体的液面保持恒定
在直拉硅生长过程中，熔体出现对流，以下对于对流的描述错误的是（）。A.晶体旋转和坩埚旋转都会产生强制对流B....
单项选择题在直拉硅生长过程中，熔体出现对流，以下对于对流的描述错误的是（）。
A.晶体旋转和坩埚旋转都会产生强制对流B.表面张力会产生热对流C.磁性直拉法可以通过外加磁场在一定程度上抑制对流D.温度差会产生热对流
不可能存在于直拉硅中的杂质和缺陷有（）。A.晶界B.Cu杂质C.位错D.Fe杂质
单项选择题不可能存在于直拉硅中的杂质和缺陷有（）。
A.晶界B.Cu杂质C.位错D.Fe杂质
