单项选择题
A.晶界B.Cu杂质C.位错D.Fe杂质
关于金属硅，以下描述错误的是（）。A.电子级高纯多晶硅达到9~10个“9”B.西门子法的优点是产量大、质量高...
单项选择题关于金属硅，以下描述错误的是（）。
A.电子级高纯多晶硅达到9~10个“9”B.西门子法的优点是产量大、质量高，但是成本高C.西门子法中三氯氢硅的提纯可以采用精馏提纯的方法D.金属硅通过化学提纯得到高纯硅
关于锗材料，以下描述正确的是（）。A.锗材料是稀有元素，得到高纯锗需要先制备锗精矿B.硅材料在自然界中非常丰...
单项选择题关于锗材料，以下描述正确的是（）。
A.锗材料是稀有元素，得到高纯锗需要先制备锗精矿B.硅材料在自然界中非常丰富，存在天然的晶体硅C.制备金属锗最难去除的杂质是金属杂质D.纯度：太阳电池级多晶硅>电子级多晶硅
以下不是太阳能级多晶硅的制备方法的是（）。A.直拉法B.区熔提纯C.电子束＋定向凝固D.精炼造渣+定向凝固
单项选择题以下不是太阳能级多晶硅的制备方法的是（）。
A.直拉法B.区熔提纯C.电子束＋定向凝固D.精炼造渣+定向凝固
