填空题
点缺陷、非晶区、非晶层
常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中,杂质在体内满足()函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩...
填空题常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中,杂质在体内满足()函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中,杂质在体内满足()函数分布。
制备SiO2的方法有()、()、()、()、()等。
填空题制备SiO2的方法有()、()、()、()、()等。
在SiO2内和Si-SiO2界面存在有()、()、()、()等电荷。
填空题在SiO2内和Si-SiO2界面存在有()、()、()、()等电荷。