常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。

制备SiO2的方法有（）、（）、（）、（）、（）等。

填空题制备SiO₂的方法有（）、（）、（）、（）、（）等。

在SiO2内和Si-SiO2界面存在有（）、（）、（）、（）等电荷。

填空题在SiO₂内和Si-SiO₂界面存在有（）、（）、（）、（）等电荷。

硅平面工艺中高温氧化生成的非本征无定性二氧化硅对（）、（）、砷（As）、锑（Sb）等元素具有（）作用。

填空题硅平面工艺中高温氧化生成的非本征无定性二氧化硅对（）、（）、砷（As）、锑（Sb）等元素具有（）作用。