单项选择题
A.1KWB.40ΩC.2KWD.100W
CTE对高频小信号注入效率的影响的物理意义是,CTE的存在意味着ie必须先付出对势垒区充放电的多子电流iect...
单项选择题CTE对高频小信号注入效率的影响的物理意义是,CTE的存在意味着ie必须先付出对势垒区充放电的多子电流iect后,才能建立起一定的ipe。这一过程需要的时间是()。
A.发射结扩散电容充放电时间常数B.集电结耗尽区延迟时间C.集电结势垒电容经集电区充放电的时间常数D.发射结势垒电容充放电时间常数
()的集电结反向电压VCB称为共基极集电结雪崩击穿电压,记为BVCBO。A.发射极开路时,使I’CEO→∞B...
单项选择题()的集电结反向电压VCB称为共基极集电结雪崩击穿电压,记为BVCBO。
A.发射极开路时,使I’CEO→∞B.集电极极开路时,使I’CEO→∞C.发射极开路时,使I’CBO→∞D.基极开路时,使I’CBO→∞
在异质结双极型晶体管中,通常用()。A.窄禁带材料制作发射区,用宽禁带材料制作基区B.宽禁带材料制作基区区,...
单项选择题在异质结双极型晶体管中,通常用()。
A.窄禁带材料制作发射区,用宽禁带材料制作基区B.宽禁带材料制作基区区,用窄禁带材料制作集电区C.窄禁带材料制作基区,用宽禁带材料制作集电区D.宽禁带材料制作发射区,用窄禁带材料制作基区